存储行业二季度有望继续上行 上市公司紧抓机遇拓市场

　　本报记者 丁 蓉

　　2024 年第二季度 ，存储行业有望延续上行趋势。据 TrendForce 集邦预计，第二季度 NAND Flash（闪存存储器）合约价将强势上涨约 13% 至 18%
，DRAM（动态随机存取存储器）价格涨幅约 3% 至 8% 。

　　产业链部分企业率先感受到市场暖意。近日，上市公司佰维存储表示 ，当前行业迎来景气复苏
，手机端客户需求有明显复苏的迹象
。兆易创新在投资者互动平台上表示，2024 年主流存储价格将延续上涨走势 ，公司 DRAM 和 NAND 价格将持续回升。

　　华安电子首席分析师陈耀波在接受《证券日报》记者采访时表示：“新一轮存储周期中
，人工智能产业发展是市场需求的重要创造方，持续贡献需求增量 。上市公司需要积极提高产品竞争力 ，通过把握新增的市场需求
，紧抓发展机遇
。”

　　高性能存储需求旺盛

　　4 月 7 日，《证券日报》记者在深圳市华强北走访调研了解到 ，存储市场正持续回暖。深圳市者成科技有限公司总经理卢忠东向《证券日报》记者表示：“自 2023 年第三季度末以来
，部分存储产品价格上涨 。目前，涨幅较大的是高性能存储芯片 ，市场上 DDR5 等产品需求旺盛，供不应求
。但并非所有型号都在涨
，一些中低性能产品涨幅不明显，部分型号价格仍在低位徘徊甚至下滑。 ”

　　本轮存储芯片价格上涨与人工智能产业的快速发展有密切关系 。中国电子商务专家服务中心副主任郭涛在接受《证券日报》记者采访时表示：“人工智能技术的进步 ，推动高速 、大容量存储解决方案的需求
，因此本轮存储周期一大特点就是高性能存储芯片需求旺盛
。”

　　在新周期之中，高端存储 HBM 和 DDR5 产品正加速向市场渗透 ，三星电子、SK 海力士
、美光公司纷纷将投资和产能转向 HBM 和 DDR5。HBM 方面
，TrendForce 集邦资深研究副总吴雅婷预计，到 2024 年底 HBM 核心技术 TSV 的产能将同比增长约 260% ，占 DRAM 总产能约 14% 。DDR5 方面
，DDR5 子代迭代正在加速
。

　　在业内人士看来，前四轮存储周期一般为 3 年至 4 年。中国银河证券研报表示 ，人工智能需求正在创造存储芯片行业第五轮周期起点
，人工智能服务器、人工智能个人电脑 、人工智能移动终端设备市场需求都在持续放量，存储市场迎来新发展机遇 。

　　上市公司积极行动

　　随着市场景气度上行 ，近日，A 股存储赛道多家上市公司
，包括兆易创新
、东芯股份、澜起科技 、聚辰股份
、江波龙、佰维存储 、大为股份等，在投资者互动平台上或接受机构调研时 ，均被问及产品供求情况和高性能产品相关布局情况。

　　东芯股份表示
，从存储产品的周期来看，公司产品预计随着需求的逐步回暖 ，价格将逐步改善
。公司以成为国内领先的存储芯片设计企业为目标
，致力于给更多客户提供包括 NAND Flash
、NOR Flash、DRAM 、MCP 等多产品线全覆盖的存储芯片产品。

　　澜起科技在内存接口芯片领域牵头制定 DDR5 RCD 芯片国际标准，在 DDR5 子代迭代的过程中 ，研发进度保持领先
，公司的 DDR5 第二子代 RCD 芯片已于去年下半年开始规模出货 。

　　中国金融智库特邀研究员余丰慧向《证券日报》记者表示：“随着人工智能产业的发展，数据安全重要性凸显 ，国内存储厂商在本轮存储周期中的发展潜力巨大
。
”

　　智帆海岸机构首席顾问梁振鹏在接受《证券日报》记者采访时表示：“对于存储企业来说
，应密切关注市场趋势和客户需求，积极开拓高端市场 ，把握高端市场需求增量，通过提高技术水平
、优化产品设计和提高产品质量
，来摆脱同质化竞争，在本轮周期中获取更大市场份额。”

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